Presentations

April 2003-March 2004
  1. T. Shinada, K. Kubo, S. Okamoto, D. Ferrer, J. Kurosawa and I. Ohdomari, "Fabrication of ordered dopant array in siicon by means of single ion implantation", 9th international conference on the formation of semiconductor interfaces", Madrid, September 15-19, 2003.
  2. D. Ferrer, T. Shinada, T. Tanii, G. Zhong, J. Kurosawa, Y. Kubo, K. Imamura, H. Kawarada, I. Ohdomari,"Carbon Nanotube Growth on Nickel Implanted Nanopyramids Array (NPA)"9th international conference on the formation of semiconductor interfaces", Madrid, September 15-19, 2003.
  3. 黒沢淳，品田賢宏, Domingo Ferrer, Zhong Guofang, 窪陽祐,岡本晋太郎, 川原田洋, 大泊巌“シングルイオン注入法によるカーボンナノチューブ成長制御のためのCo-Fe-Ge型液体金属イオン源の開発”，秋季第64回応用物理学関係連合講演会，福岡，福岡大学，2003年8月．
  4. Domingo Ferrer，Takahiro Shinada , Takashi Tanii, Zhong Guofang, Yosuke Kubo, Jun Kurosawa, Shintaro Okamoto, Hiroshi Kawarada, Iwao Ohdomari,"Carbon Nanotubes Growth on Nickel Implanted Nanopyramids Array(NPA)"，秋季第64回応用物理学関係連合講演会，福岡，福岡大学，2003年8月．
  5. 品田　賢宏，窪　陽祐，黒沢　淳，岡本　晋太郎，ドミンゴ　フェレール，大泊　巌，“不純物原子の規則的配列を有する半導体の移動度評価”，秋季第64回応用物理学関係連合講演会，福岡，福岡大学，2003年9月．
April 2002-March 2003
  1. 黒澤淳，“シングルイオン注入法によるカーボンナノチューブ成長位置の制御”，春季第50回応用物理学関係連合講演会，横浜，神奈川大学　2003. 3．
  2. Domingo Ferrer，“Fabrication of Nickel Buried Nanopyramids Array (BNPA) on silicon by means of focused beam patterning and wet etching”，春季第50回応用物理学関係連合講演会，横浜，神奈川大学　2003. 3.
  3. 窪陽祐 : 改良型シングルイオン注入装置の開発，春季第50回応用物理学関係連合講演会，横浜，神奈川大学　2003. 3.
  4. 品田賢宏，大泊巌，「シングルイオン注入法による極微細デバイスにおける不純物位置の制御」応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第45回研究集会「デバイス特性バラつきの物理とモデリング」，東京，機会振興会館(四谷)，2002年11月.
  5. T. Shinada, K. Imamura, Y. Kubo, J. Kurosawa and I. Ohdomari, "Control of dopant atom position in narrow channel SOI-MOSFETs by single ion implantation", 13th International Conference on Ion Beam Modification of Materials, Kobe, September 2002.
  6. Takahiro Shinada, Ken Imamura, Yosuke Kubo, J. Kurosawa and Iwao Ohdomari, "Threshold Voltage Control of Thin Film Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors (SOI-MOSFETs) by Single Ion Implantation (SII)", 11th International Conference on Solid Films and Surfaces, Marseille, France, July 2002
April 2001-March 2002
  1. 今村　健，日下智恵，品田賢宏，小山　光，窪　陽祐，木村哲也，大泊　巌，"シングルイオン注入法によるp型n型同時ドーピングのためのCu-In-P-Pt液体金属イオン源の開発"，第49回応用物理学会関連連合講演会，東海大学，2002年3月
  2. 品田賢宏，今村　健，窪　陽祐，小山　光，日下智恵，木村哲也，大泊　巌，"シングルイオン注入法による極微半導体中の不純物原子位置制御"，第49回応用物理学会関連連合講演会，東海大学，2002年3月
  3. 小山　光，品田賢宏，日下智恵，今村　健，大泊　巌, "シングルイオン注入法による不純物位置制御のためのSOIデバイスの特性", 第62回応用物理学会学術講演会, 愛知工業大学, 2001年9月
  4. 今村　健，日下智恵，品田賢宏，石川敦貴，小山　光，大泊　巌, "シングルイオン注入法によるp型n型同時ドーピングのためのIn-P-Pt液体金属イオン源の開発",第62回応用物理学会学術講演会, 愛知工業大学, 2001年9月
  5. 日下智恵，今村　健，品田賢宏，小山　光，大泊　巌, "シングルイオン注入法によるp型n型同時ドーピングのためのAu-In-Sb液体金属イオン源の開発",第62回応用物理学会学術講演会, 愛知工業大学, 2001年9月
  6. Takahiro Shinada, Hikaru Koyama, Chie Hinoshita, Ken Imamura and Iwao Ohdomari, "The effect of dopant atom number and position on the electrical characteristics on nano-scale semiconductor devices investigated by means of single ion implantation", The 6th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Lake Tahoe, California, USA, July 2001.
  7. Hikaru Koyama, Takahiro Shinada, Chie Hinoshita, Ken Imamura and Iwao Ohdomari, "Reduction of fluctuations in dopant number and position by single ion implantation", The 6th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Lake Tahoe, California, USA, July 2001.
  8. Chie Hinoshita, Ken Imamura, Takahiro Shinada, Hikaru Koyama and Iwao Ohdomari, "Development of new liquid metal ion source (Au-In-Sb LMIS) for codoping of acceptor and donor by single ion implantation", The 6th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Lake Tahoe, California, USA, July 2001.
  9. Ken Imamura, Chie Hinoshita, Takahiro Shinada, Hikaru Koyama and Iwao Ohdomari, "A new In-P-Pt liquid metal ion source (LMIS) for co-doping of donor and acceptor atoms by means of single ion implantation (SII)", The 6th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Lake Tahoe, California, USA, July 2001.
April 2000-March 2001
  1. 日下智恵，今村　健，品田賢宏，石川敦貴，小山　光，大泊　巌, "シングルイオン注入法によるp型n型同時ドーピングのための新しい液体金属イオン源の開発",第48回応用物理学関連連合講演会, 明治大学, 2001年3月
  2. 小山　光，品田賢宏，石川敦貴，日下智恵，今村　健，昌原明植，大泊　巌, "ELTRAN SOIウェーハを用いたシングルイオン注入用テスト試料の作製と評価",第48回応用物理学関連連合講演会, 明治大学, 2001年3月
  3. Takahiro Shinada, Atsuki Ishikawa, Chie Hinoshita, Meishoku Koh and Iwao Ohdomari, "Precise Control of Semiconductor Conductivity by One-by-One Implantation of Dopant Atoms", XIIIth International Conference on Ion Implantation Technology, Alpbach, Austria, September, 2000
  4. Meishoku Koh, Tomomi Goto, Takahiro Shinada and Iwao Ohdomari, "Simple Process for Nanopyramid Array (NPA) Fabrication on Si Surface by Means of Dopant Ion Irradiation and Wet Etching", XIIIth International Conference on Ion Implantation Technology, Alpbach, Austria, September, 2000
  5. 日下智恵，品田賢宏，石川敦貴，小山　光，今村　健，大泊　巌, "高精度照準のためのシングルイオン注入用集束イオンビーム光学系の改造", 第61回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学, 2000年9月
  6. 石川敦貴，品田賢宏，小山　光，日下智恵，今村　健，黄　明植，大泊　巌, "不純物原子位置の微小半導体電気的特性への影響", 第61回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学, 2000年9月
April 1999-March 2000
  1. 品田賢宏，石川敦貴，日下智恵，黄　明植，大泊　巌, "シングルイオン注入法による微小半導体のコンダクタンスゆらぎ抑制", 第47回応用物理学関連連合講演会, 青山学院大学, 2000年3月
  2. 品田賢宏，石川敦貴，日下智恵，黄　明植，大泊　巌, "不純物原子のピンポイントドーピングによる微小半導体電気的特性ゆらぎ制御", 第18回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム，1999年12月
  3. Meishoku Koh, Takahiro Shinada, Souichi Sawara, Tomomi Goto, Yoshinori Ando and Iwao Ohdomari, "Simple Fabrication of Nanopyramid Array (NPA) on Si Surface by Means of Focused Ion Beam Pattering and Wet Etching", 1999 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, 1999
  4. Atsuki Ishikawa, Takahiro Shinada, Chie Hinishita, Meishoku Koh and Iwao Ohdomari, "Control of conductance in fine semiconductor region by single ion implantation", 3rd International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa, 1999
  5. 石川敦貴，品田賢宏，日下智恵，黄　明植，大泊　巌"シングルイオン注入法による微小半導体の電気的特性制御(II)",第60回応用物理学会学術講演会，甲南大学，1999年9月
  6. 品田賢宏，石川敦貴，日下智恵，黄　明植，大泊　巌"シングルイオン注入法による微小半導体の電気的特性制御(III)",第60回応用物理学会学術講演会，甲南大学，1999年9月
  7. 後藤知己，佐原壮一，安藤慶徳，品田賢宏，黄　明植，大泊　巌"Siナノピラミッドの高密度配列形成-ピラミッド頂点の電気的性状制御-",第60回応用物理学会学術講演会，甲南大学，1999年9月
  8. Takahiro Shinada, Atsuki Ishikawa, Chie Hinoshita, Ryota Ohsumi, Meishoku Koh and Iwao Ohdomari , "Threshold Voltage Control of a MOSFET by Single Ion Implantation", 5th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Aix en Provence, 1999
  9. Meishoku Koh, Souichi Sawara, Takahiro Shinada, Tomomi Goto, Atsuki Ishikawa and Iwao Ohdomari , "Simple Nanostructuring of Silicon Surfaces by means of Foused-Beam Patterning and Wet Etching", 5th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Aix en Provence, 1999
April 1998-March 1999
  1. 品田賢宏，石川敦貴，藤田　真，山下慶祐，黄　明植，大泊　巌, "シングルイオン注入法による微小構造体の電気的特性制御",第46回応用物理学関連連合講演会，東京理科大学，1999年3月
  2. 佐原壮一，黄　明植，品田賢宏，原　謙一，大泊　巌, "粒子線照射によるデカナノスケール構造体の配列形成",第46回応用物理学関連連合講演会，東京理科大学，1999年3月
  3. 鷹見伸哉，住田泰史，本村慎之助，久保田弘，品田賢宏，大泊　巌, "イオンビームによる微細化電荷密度波の作成",第46回応用物理学関連連合講演会，東京理科大学，1999年3月
  4. 品田賢宏，山下慶祐，藤田　真，佐原壮一，黄　明植，大泊　巌, "シングルイオン注入法のドーパント個数制御性の検証", 応用物理学会，第59回応用物理学会学術講演会，1998年9月
  5. 山下慶祐，藤田　真，品田賢宏，佐原壮一，黄　明植，大泊　巌, "粒子線照射による微小構造体作製",第59回応用物理学会学術講演会，広島大学，1998年9月
  6. 鷹見伸哉，住田泰史，本村慎之助，久保田弘，品田賢宏，大泊　巌, "イオンビーム応用による一次元化CDWの作製とその伝導機構",第59回応用物理学会学術講演会，広島大学，1998年9月
  7. Takahiro Shinada, Makoto Fujita, Keisuke Yamashita and Iwao Ohdomari, "Fabrication of Si Nano Wires by a Focused Ion Beam and a Chemical Etching", 2nd International Symposium on Electrochemical Microsystem Technologies, Waseda, 1998
  8. Takahiro Shinada, Takashi Matsukawa and Iwao Ohdomari , "Controllability of Dopant Ion Number in Single Ion Implantation", 1998 International Microprocess and Nanotechnology Conference, Kyoungju KOREA, 1998
  9. Takahiro Shinada, Takashi Matsukawa and Iwao Ohdomari, "Improvement of Controllability of Dopant Ion Number in Single Ion Implantation", XIIth International Conference on Ion Implantation Technology, Kyoto, 1998
April 1997-March 1998
  1. 品田賢宏，玖村芳典，松川　貴，大泊　巌, "シングルイオン注入法の要素技術の改善",第45回応用物理学関連連合講演会，東京工科大学，1998年3月
  2. Takahiro Shinada, Yoshinori Kumura, Jun Okabe, Takashi Matsukawa, and Iwao Ohdomari, "The Current Status of Single Ion Implantation", 1997 Japan USA Seminar on Formation of Ion Nanobeams and Applications to Material Processing, Osaka, 1997
  3. Takashi Matsukawa, Takahiro Shinada, Toshinori Fukai, K. Hara and Iwao Ohdomari, "Key Technology of Focused Ion Beam(FIB) System for Single Ion Implantation", 1997 Japan USA Seminar on Formation of Ion Nanobeams and Applications to Material Processing, Osaka, 1997
  4. 品田賢宏，玖村芳典，岡部　淳，松川　貴，大泊　巌, "シングルイオン注入法における2次電子検出系の改良",第58回応用物理学会学術講演会，秋田大学，1997年10月
April 1996-March 1997
  1. 品田賢宏，木村裕明，玖村芳典，大泊　巌, "FIBと異方性エッチングを用いたシングルイオン注入用Si極微抵抗体の形成",第44回応用物理学関連連合講演会，日本大学，1997年3月
  2. Takahiro Shinada, Hiroaki Kimura, Yoshinori Kumura, and Iwao Ohdomari, "Fabrication of thin Si wires on SIMOX substrates by using focused ion beam and anisotropic etching", International Symposium on Control of Single Particles and Its Application, Waseda, 1996
  3. Yoshinori Kumura, Hiroaki Kimura, Takahiro Shinada, and Iwao Ohdomari, "Development of Cu-P-Pt liquid metal ion source", International Symposium on Control of Single Particles and Its Application, Waseda, 1996
  4. Hiroaki Kimura, Takahiro Shinada, Yoshinori Kumura, and Iwao Ohdomari, "Resistivity control of ultrafine structures by SII", International Symposium on Control of Single Particles and Its Application, Waseda, 1996
  5. Takahiro Shinada, Hiroaki Kimura, Yoshinori Kumura, and Iwao Ohdomari, "Fabrication of thin Si wires with highly controlled feature size", Second International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa, 1996
  6. Hiroaki Kimura, Takahiro Shinada, Yoshinori Kumura, and Iwao Ohdomari, "A trial to dope thin Si wires with single ion implantation", Second International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa, 1996
  7. 品田賢宏，木村裕明，玖村芳典，大泊　巌, "集束イオンビーム(FIB)／異方性エッチングを応用したSIMOX基板上のSi細線形成法",第57回応用物理学会学術講演会，九州産業大学，1996年9月
  8. 木村裕明，品田賢宏，玖村芳典，大泊　巌, "シングルイオン注入装置によるSi抵抗体へのドーピング",第57回応用物理学会学術講演会，九州産業大学，1996年9月
  9. 玖村芳典，木村裕明，品田賢宏，大泊　巌, "Cu-P-Pt液体金属イオン源の動作寿命",第57回応用物理学会学術講演会，九州産業大学，1996年9月
April 1995-March 1996
  1. 木村裕明，品田賢宏，玖村芳典，大泊　巌, "シングルイオン注入用Si抵抗体の作製",第56回応用物理学会学術講演会，金沢工業大学，1995年8月
April 1994-March 1995