LM-IG / UHV-STM
イオン照射過程のリアルタイムSTM観察
|
|
|
|
Theme
高温Si(111)-7×7表面に生成されたSiイオン照射欠陥の連続STM観察
Member
神岡武文(D1) 内ヶ崎誠(助手）
|
Summary
これまで我々は、イオン照射による半導体表面改質の素過程を解明するため、ドーパントを打ち込める金属イオン銃と超高真空走査型トンネル顕微鏡の複合装置を新たに開発してきた。照射イオンと半導体表面の相互作用の基礎研究として、高温Si表面に対するSiイオン照射過程の連続STM観察を行った。
|
|
実験
通電加熱により約500℃に保持されたSi(111)-7×7表面をSTM観察しながら、500 eV-Siイオンを照射した。イオン照射後もそのまま同一領域のSTM観察を継続した。
|
|
結果
1.Si2+が照射されたSi(111)-7x7表面 0sec
Hight image
It: 0.030 nA, Vs: 1 V, 80 s/image
2. 240sec
3. 720sec
4. 960sec
|
結果
Siイオン照射により、Arイオン照射欠陥と同様なSi表面欠陥が生成された。
底部が再構成されていた。表面欠陥の多くは、イオン照射後の熱処理過程において次第に
縮小・消失していった。
|
|
