電気伝導 Group
|
|
|
|
|
|
1. 電気伝導グループの特徴
現在の便利な生活は、半導体集積回路の発展が支えてきたといっても過言ではない。集積回路
とは、ひとつのチップ上にわずか数十nmのデバイスが何十億個も集積されている回路である。
この集積回路の性能を向上させることが、半導体デバイス研究の大きな目標である。我々の
グループでは、半導体加工プロセスを用いたデバイス作製から電気特性評価までを一貫して行い、
デバイス性能の向上や基礎物理の解明に取り組んでいる。半導体物理の知識をバックグラウンドとして、
最先端の分野での研究に日々勤しんでいる。
|
2. ナノ細線デバイスの研究 〜最先端のデバイス技術〜
今日、サイズの縮小による半導体デバイスの性能向上は限界に到達しつつあり、更なる性能向上のために、
High-K、メタルゲート、歪チャネルといった新しい技術の導入が検討されている。中でも歪チャネル技術は特に
有望視されており、盛んに研究がなされている。また、ショートチャネル効果への耐性や量子閉じ込め効果による
移動度の向上などの利点から、ナノ細線FETという新たなデバイス構造が注目されている。 我々はこのナノ細線FET
に歪を導入することで、さらなるデバイス性能向上を目指して研究に取り組んでいる。
|
|
|
|
|
3. 金属絶縁体転移の研究 〜シリコンの基礎物性〜
シリコンの絶対零度における電気伝導度は、ある不純物濃度を境界にしてゼロから有限に変化する。この
現象は、金属絶縁体転移として知られている。しかし従来の研究では転移を決定付ける不純物の個数を直接制御した
例は皆無である。それに対して、我々の研究室が所有するシングルイオン装置は、不純物原子の位置と個数を正確に
制御したイオン注入ができる。このシングルイオン注入装置を用いて、ひとつずつ不純物原子を注入していくことで、
金属絶縁体転移の評価を行っている。
|
4. 我々の所有するスキル
□デバイス作製技術
・電子線リソグラフィ、フォトリソグラフィ
・ウェットエッチング、RIE
・イオン注入
・RTA、熱酸化
・金属薄膜堆積
・洗浄
□計測技術
・走査型電子顕微鏡（SEM)
・電気測定（相互コンダクタンス測定、比抵抗
測定、ホール電圧測定など）
□シミュレーション技術
・２次元デバイスシミュレータ（PISCES)
・プロセスシミュレータ（SUPREM)
|